时间：2025/12/26 9:21:02
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MMBZ5243B-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小尺寸SOD-123封装的齐纳二极管，属于MMBZ52xxB系列的一部分。该器件专为低功率稳压和电压参考应用设计，具有精确的齐纳电压和稳定的温度特性。其标称齐纳电压为18V，容差为±5%，能够在较小的封装内提供可靠的电压钳位和保护功能。MMBZ5243B-7-F采用先进的半导体工艺制造，确保了良好的长期稳定性和可靠性，适用于消费电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品中的电路保护和基准电压生成。该器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，适合现代自动化贴片生产线使用。其小型化设计有助于节省PCB空间，特别适合高密度布局的应用场景。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-123
齐纳电压（Vz）：18V @ 20mA
容差：±5%
测试电流（Iz）：20mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：28Ω @ 20mA
最大反向漏电流（Ir）：1μA @ 16V
功率耗散：500mW
工作结温范围：-65°C 至 +150°C
温度系数：+9.5mV/°C（典型值）
安装类型：表面贴装
MMBZ5243B-7-F具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是在额定工作条件下提供稳定的18V齐纳击穿电压，且在20mA的测试电流下保持较低的动态阻抗（最大28Ω），这有助于减少因负载变化引起的输出电压波动，从而提高系统的稳压精度。该器件的电压容差控制在±5%以内，确保批量生产中的一致性与可预测性，对于需要精密电压参考的设计尤为重要。
该齐纳二极管采用SOD-123封装，体积小巧（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合空间受限的应用场合。其500mW的功率处理能力允许在适度电流下长时间运行，同时通过优化的芯片结构实现了良好的散热性能。此外，其反向漏电流在低于击穿电压时极低（最大1μA @ 16V），有效减少了待机状态下的功耗，提升了能效表现。
温度系数方面，MMBZ5243B-7-F表现出较为理想的正温度系数（约+9.5mV/°C），虽然属于较高电压齐纳管常见的特性，但在实际应用中可通过外部补偿电路进行校正，以实现更稳定的参考电压输出。该器件的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括高温工业环境或低温户外设备。
由于其高可靠性和一致性，MMBZ5243B-7-F广泛用于电源管理单元、ADC/DAC参考源、过压保护电路以及信号电平钳位等关键位置。其无铅设计和符合RoHS标准的特点也使其满足现代电子产品对环保法规的要求，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺。
MMBZ5243B-7-F主要用于需要稳定18V参考电压或电压箝位的模拟和数字电路中。常见应用场景包括低压直流电源的稳压输出监控、作为误差放大器的参考源、在开关电源反馈回路中提供基准电压，以及用于微控制器供电轨的过压保护电路。此外，它还可用于传感器信号调理模块中，为运算放大器或其他模拟前端提供偏置电压参考。
在通信接口电路（如RS-232、CAN总线）中，该器件可用于瞬态电压抑制和静电放电（ESD）防护，防止高压脉冲击穿敏感元件。其快速响应特性和低寄生参数使其能够有效吸收短时浪涌能量，保障系统安全。在电池供电设备中，MMBZ5243B-7-F可用于电池电压检测电路，当电压超过设定阈值时触发保护机制，延长电池寿命并防止过充损坏。
在工业控制系统中，该齐纳二极管常被用作PLC输入模块的电平转换和限幅元件，确保输入信号不会超出ADC或逻辑电路的承受范围。同时，在音频设备和测量仪器中，它可以作为高精度电压基准，提升系统测量准确度。得益于其小尺寸封装，MMBZ5243B-7-F也非常适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型消费类电子产品中的局部稳压需求。
BZT52C18-7-F,BAS16HW-7-F,MM3Z18V
