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66LKB200 发布时间 时间:2025/12/27 15:54:14 查看 阅读:18

66LKB200是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的过电压保护。该器件属于雪崩型二极管,能够在瞬时高电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换或雷击感应)发生时迅速响应,将电压钳位到安全水平,从而保护敏感的电子元件不被损坏。66LKB200采用轴向引线封装(通常为DO-15或类似形式),具备较高的峰值脉冲功率承受能力,适用于工业控制、通信设备、电源系统以及消费类电子产品中的二级或主级保护电路。其设计目标是在恶劣电磁环境中提供可靠且稳定的保护性能,同时保持较低的漏电流和电容特性,以减少对正常信号传输的影响。该TVS二极管的工作温度范围较宽,通常可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适合在高温或严苛环境下使用。

参数

器件型号:66LKB200
  类型:单向TVS二极管
  反向工作电压(VRWM):170V
  击穿电压(VBR):190V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):280V @ 3.8A
  峰值脉冲电流(IPP):4.4A
  峰值脉冲功率(PPEAK):1500W(10/1000μs波形)
  漏电流(IR):≤5μA @ VRWM
  电容值(Cj):≈50pF @ 0V
  极性:单向
  封装形式:轴向DO-15
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

66LKB200的核心特性之一是其高达1500W的峰值脉冲功率处理能力,使其能够有效吸收并耗散来自外部环境或内部开关操作产生的大能量瞬变。这一能力基于其优化的雪崩击穿结构,在遭遇高压瞬态时能迅速进入低阻态,将过电压引导至地,从而防止其传递至下游电路。其响应时间极短,通常在皮秒级别,远快于传统的过压保护器件如压敏电阻(MOV),因此在应对快速上升沿的瞬态干扰(例如ESD事件)时表现尤为出色。
  该器件具有良好的热稳定性与长期可靠性,得益于其坚固的硅芯片制造工艺和密封的轴向封装设计,能够在高湿、高温及机械振动等恶劣条件下持续工作而不降低性能。此外,66LKB200的漏电流非常低,在额定反向工作电压下不超过5μA,这意味着它在正常运行期间几乎不会消耗额外功率或引入噪声,特别适用于高阻抗或低功耗电路中。
  另一个关键优势是其电压容差控制精确,击穿电压测试条件明确(1mA),便于系统工程师进行精确的保护阈值设计。配合合理的PCB布局和接地策略,66LKB200可作为多级保护方案中的初级或次级保护元件,与其他保护器件(如气体放电管、PTC自恢复保险丝)协同工作,构建完整的浪涌抑制网络。其50pF左右的结电容也表明它更适合用于直流或低频信号线路保护,而在高频数据线上需谨慎使用以免影响信号完整性。

应用

66LKB200广泛应用于需要高能浪涌防护的各种电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的电源输入端口保护,防止因继电器断开或电机启停引起的感应电压尖峰损坏控制器模块。在电信基础设施中,该器件可用于保护电话线路、DSL调制解调器或基站接口免受雷击感应或电源交叉事故的影响。
  在电力系统和户外电子装置中,66LKB200常被部署于交流或直流配电单元的次级保护电路中,与前端的大功率MOV形成分级保护架构,实现能量逐级泄放,提升整体系统的耐冲击寿命。消费类电子产品如家用电器、LED照明驱动电源等也采用此类TVS二极管来满足安规认证要求(如IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-5)。
  此外,66LKB200还可用于汽车电子辅助系统(非车载动力系统)的电源轨保护,抵御负载突降(Load Dump)或反接瞬态带来的损害。由于其轴向封装便于安装在PCB边缘或靠近连接器位置,因此非常适合用作第一道防线,尤其是在空间限制不严格但可靠性要求较高的应用场景中。通过合理选型和布局,66LKB200能显著提高终端产品的电磁兼容性(EMC)和现场运行稳定性。

替代型号

P6KE200A

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