时间：2025/9/13 21:42:52
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BZX585-B4V7,135 是由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的一款表面贴装硅齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压的生成。该器件采用SOD123FL小型封装，适合需要紧凑布局的高密度PCB设计。其标称齐纳电压为4.7V，在额定电流下具有稳定的电压输出，广泛应用于电源管理、电压检测、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。由于其封装形式为无铅环保材料，符合RoHS标准，适用于现代环保电子产品的设计。
类型：齐纳二极管
制造商：Nexperia
封装类型：SOD123FL
最大耗散功率：300 mW
齐纳电压（标称）：4.7 V
测试电流（IZT）：5 mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：100 Ω
最大反向漏电流（IR）：100 nA（@ VR = 3.2V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
湿度等级：1（符合JEDEC J-STD-020）
无铅状态：符合RoHS指令
BZX585-B4V7,135 是一款具有高稳定性和低动态阻抗的齐纳二极管。在额定电流下，其齐纳电压维持在4.7V左右，适用于精密电压参考和调节电路。该器件的动态阻抗较低，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定，从而提高电路的整体稳定性。此外，该齐纳二极管在低电流下的电压漂移较小，适用于需要精确电压控制的场合。
该器件的最大功耗为300mW，支持在较宽的环境温度范围内工作（-55°C至+150°C），使其适用于各种工业和消费类电子应用。SOD123FL封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB上布局，而且具有良好的热性能和机械强度，确保器件在各种工作条件下都能稳定运行。
BZX585-B4V7,135 的反向漏电流非常低，在反向电压低于齐纳击穿电压时，漏电流通常小于100nA，这有助于降低电路在待机或低功耗状态下的能耗。此外，该器件的响应时间较快，适用于需要快速电压调节的动态电路环境。
BZX585-B4V7,135 主要用于需要稳定电压参考或调节功能的电子电路中。常见的应用包括电源稳压电路中的参考电压源、电池供电设备中的电压监控电路、微控制器系统中的复位或看门狗定时器电压检测、模拟-数字转换器（ADC）或数字-模拟转换器（DAC）的参考电压输入等。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式音频设备，该齐纳二极管常用于电池电压监测和电源管理电路，以确保设备在低电量情况下能够正常工作或及时关机保护。在工业控制系统中，它可用于传感器信号调理电路中的电压参考，提高测量精度和稳定性。
此外，BZX585-B4V7,135 也可用于保护电路中，例如在输入/输出接口中提供过压保护，防止因电压波动或静电放电（ESD）而损坏敏感电子元件。
BZX585-B4V7,115; BZX585-B4V7,315; BZX585-B4V7-H; BZX585-B4V7-Q; BZX584-B4V7
