时间：2025/9/14 14:58:43
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BAS21QAZ是一款由恩智浦半导体（NXP）制造的表面贴装型双极晶体管阵列。该器件由两个NPN晶体管组成，设计用于需要高增益、低噪声和良好高频特性的应用场合。其封装形式为SOT-363，是一种6引脚的小型封装，适用于高密度PCB布局。BAS21QAZ特别适用于射频（RF）和低噪声放大器（LNA）应用，同时也被广泛应用于通信设备、传感器电路和嵌入式系统中。
晶体管类型：NPN双极晶体管阵列
封装类型：SOT-363（6引脚）
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
频率响应（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
工作温度范围：-55°C至+150°C
BAS21QAZ的主要特性之一是其高电流增益，这使其在低信号电平放大应用中表现出色。该器件的hFE范围广泛，可根据不同的工作电流提供从110到800的增益值，从而适应多种电路设计需求。此外，其高频特性（fT为250MHz）确保了在射频和高速开关应用中的稳定性。
另一个显著特点是其低噪声性能，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）设计，尤其是在无线通信系统中。由于采用了SOT-363封装，BAS21QAZ具有较小的体积，适合高密度PCB布局，并且具有良好的热稳定性和机械强度。
该器件还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，由于其双晶体管集成设计，可以实现差分放大或级联放大的电路结构，提高系统的整体性能和稳定性。
BAS21QAZ常用于射频前端模块、低噪声放大器（LNA）、中频放大器、传感器接口电路、开关电路以及各种嵌入式系统中。在无线通信设备中，它被广泛应用于基站、无线接入点、移动电话和其他射频接收器中，以提高信号接收的灵敏度和稳定性。
此外，BAS21QAZ也可用于音频放大电路、逻辑电平转换、驱动LED或小型继电器等通用放大和开关应用。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于传感器信号调理和放大，提供高精度的信号处理能力。由于其宽温度范围和高可靠性，BAS21QAZ也适用于汽车电子系统，如车载通信模块、传感器接口和控制单元等应用场景。
BAS21QAZ的替代型号包括BAS21DW、BAS21HV和MMBT2222A。
