2SK2767 时间：2025/8/9 19:02:03 阅读：28

2SK2767是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高频率应用中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关速度的特性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　最大功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

2SK2767具有多项卓越的性能特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。这在高频开关应用中尤为重要，因为导通损耗是影响效率的关键因素之一。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽技术，不仅提升了导通性能，还增强了开关速度，使得2SK2767能够在高频率条件下稳定运行。这在DC-DC转换器和开关电源等应用中非常有用，因为高频操作有助于减小电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　此外，2SK2767的封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，能够有效地将热量从芯片传导到散热片，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的温度。这种特性对于长时间运行的设备至关重要，能够显著提高系统的可靠性和寿命。
　　2SK2767的最大漏极电流为80A，能够满足高功率需求的应用场景。同时，其最大漏源电压为60V，适用于多种中低压功率转换系统。栅源电压容限为±20V，这使得器件在各种栅极驱动条件下都能保持稳定的工作状态，避免因过压而导致的损坏。
　　最后，2SK2767的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下正常工作。这种宽温度范围的适应性使其非常适合在工业、汽车以及户外环境中使用，确保了在各种应用条件下的可靠性和稳定性。

应用

2SK2767因其优异的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，提供高效的功率转换能力。在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机和步进电机，提供高电流输出和快速响应能力。此外，2SK2767还适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动车充电器等应用，满足这些领域对高效率和高可靠性的严格要求。