SI3226-GQ 时间：2025/5/7 16:03:59 阅读：20

SI3226-GQ 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器、同步整流和电机驱动等应用。该器件采用了先进的 TrenchFET Gen III 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），能够显著提高效率并减少功率损耗。
　　这款功率 MOSFET 以 SO-8 封装形式提供，支持表面贴装工艺，非常适合高密度设计。其出色的电气性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏电流：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：27nC（典型值）
　　输入电容：1350pF（典型值）
　　总电荷：45nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：SO-8

特性

SI3226-GQ 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，从而降低了导通损耗和开关损耗。
　　2. 使用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技术制造，提升了整体性能。
　　3. 快速开关速度，适合高频应用。
　　4. 高雪崩击穿能力，增强了可靠性。
　　5. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计与装配过程。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
　　7. 工作温度范围宽，适应各种环境条件。

应用

SI3226-GQ 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动中的功率级控制。
　　4. 各种工业设备中的功率管理模块。
　　5. 消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换组件。