时间：2025/9/11 7:59:03
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C2M0045170D是一款由Wolfspeed（原Cree）生产的碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，型号为C2M系列的一部分。该器件专为高效率、高频率和高功率密度的电源转换系统设计，广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、储能系统、工业电源及功率因数校正（PFC）电路中。C2M0045170D采用TO-247封装，具备低导通电阻、低开关损耗和高热导率等特性，非常适合在高温环境下运行。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压(Vds)：1700V
漏源电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：80mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
栅极电压范围：-10V ~ +20V
安装类型：通孔安装
技术材料：SiC（碳化硅）
C2M0045170D采用碳化硅材料，具有优异的热导率和高温稳定性，能够在比传统硅基MOSFET更高的温度下可靠运行，从而减少了对复杂散热系统的依赖，提高了系统的整体可靠性。此外，该器件的导通电阻仅为80mΩ，降低了导通损耗，提高了能效。在开关性能方面，C2M0045170D的开关损耗显著低于传统IGBT，使其在高频应用中具有明显优势，能够实现更高的开关频率，从而减小了磁性元件的尺寸和重量，提升了系统的功率密度。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力和栅极氧化层稳定性，确保在高应力工作条件下的安全运行。其TO-247封装设计提供了良好的电气绝缘和机械稳定性，适合多种工业应用环境。
值得一提的是，C2M0045170D的栅极驱动电压范围为-10V至+20V，提供了更大的设计灵活性，允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制。同时，该器件具备较低的反向恢复损耗，这对于减少功率转换过程中的能量损耗至关重要，特别是在桥式拓扑结构中表现尤为突出。综合这些特性，C2M0045170D不仅提升了系统的效率和可靠性，还简化了驱动电路的设计，降低了整体系统成本。
C2M0045170D适用于多种高功率电子系统，包括电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC变换器，以提高能源利用效率并减少热量产生。在可再生能源领域，该器件广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，帮助实现更高的系统效率和更小的设备体积。此外，C2M0045170D还适用于工业电源设备，如不间断电源（UPS）、电机驱动器和高频开关电源，满足对高效率和高可靠性的需求。在电动汽车充电基础设施中，该器件被用于直流快充桩的功率模块，以实现更快的充电速度和更低的运行损耗。
C3M0045170D, SCT3045AW, SiC MOSFET 1700V 45A 系列其他型号
