MMBZ5237B-8V2 是一款表面贴装(SOT-23)封装的齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。该器件的标称齐纳电压为8.2V,适用于需要稳定电压参考的电路设计。齐纳二极管在反向击穿区域工作时,能够保持相对稳定的电压,从而为电路提供保护或基准电压。MMBZ5237B系列器件以其低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性而著称,广泛用于便携式设备、电源管理电路、电压调节器以及信号处理电路中。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
标称齐纳电压:8.2V
功率耗散:300mW
最大齐纳电流:200mA
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +150°C
最大反向漏电流(@ VR):100nA(典型值)
动态阻抗(Zzt):10Ω(最大值)
MMBZ5237B-8V2 齐纳二极管具备多项优异的电气和物理特性,适用于高精度电压参考和保护电路。
首先,该器件的齐纳电压具有较高的稳定性,典型值在8.2V左右,且其容差可控制在±5%以内,适用于对电压精度要求较高的应用场景。
其次,MMBZ5237B-8V2 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。
该器件的最大功率耗散为300mW,支持最大200mA的齐纳电流,确保在负载变化较大的情况下仍能维持稳定的输出电压。
此外,其动态阻抗(Zzt)最大为10Ω,有助于减小电压波动,提高电路的稳定性。
MMBZ5237B-8V2 的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车电子应用,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。
最后,该齐纳二极管的反向漏电流非常低,通常在100nA以下,有助于减少电路在非工作状态下的功耗。
MMBZ5237B-8V2 主要应用于需要稳定电压参考或过压保护的电子系统中。例如,在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和穿戴设备中,该器件可作为电压参考源用于ADC(模数转换器)或DAC(数模转换器)电路。在电源管理模块中,它可以用于稳定输出电压,确保系统在输入电压波动时仍能正常运行。此外,MMBZ5237B-8V2 还广泛用于电压调节器、电池充电电路、信号调理电路以及各类传感器接口电路中。在工业自动化和汽车电子系统中,该器件也可用于保护敏感电子元件免受电压浪涌或静电放电(ESD)的影响。
MMBZ5237BLT1G、MMBZ5237B-TP、MM3Z8V2B、BZT52C8V2、1N4735A