时间：2025/6/30 15:48:40
阅读：5
HKG3JE102MA3BW(6KV102M) 是一款基于碳化硅（SiC）材料制造的高压 MOSFET 芯片，专为高电压、高频应用场景设计。该器件具有出色的开关性能和低导通损耗，能够显著提升功率转换效率。
这款芯片适用于工业、汽车以及可再生能源领域中的大功率应用。其高耐压能力（高达6kV）和小体积特性，使得它在高性能电力电子系统中具有很强的优势。
类型：MOSFET
材料：碳化硅 (SiC)
最大漏源电压：6000 V
持续漏极电流：102 A
栅极阈值电压：4.0 V
导通电阻（典型值）：25 mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：裸芯（Die）
该芯片采用先进的 SiC 技术制造，具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：支持最高 6kV 的漏源电压，确保在极端条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅 25mΩ 的导通电阻有效降低了功率损耗。
3. 快速开关速度：得益于 SiC 材料优异的载流子迁移率，其开关频率可以达到数百 kHz 甚至更高。
4. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的工作区间使其适合恶劣环境下的应用。
5. 减少系统体积与重量：由于其高效性能，允许使用更小的无源元件，从而优化整体系统设计。
这款 SiC MOSFET 主要应用于以下场景：
1. 工业电机驱动：用于变频器及伺服驱动系统，提供高效稳定的控制。
2. 新能源发电：如太阳能逆变器、风力发电变流器等，助力绿色能源发展。
3. 电动汽车：应用于车载充电机（OBC）、DC/DC 转换器以及牵引逆变器等领域。
4. 不间断电源（UPS）：实现高效率的电能管理。
5. 充电器与适配器：用于快速充电设备以提高充电速率并减少发热。
HGC4JD102NA3BW(6KV102M), HGK3JE102PA3BW(6KV102M)
