类型：超快恢复二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
　　最大均方根电压（VRMS）：700V
　　最大直流阻断电压（VDC）：1000V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向压降（VF）：1.3V @ 1.0A
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 25℃, 1000V
　　反向恢复时间（trr）：75ns
　　工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +150℃

UF740-HC1的核心特性在于其出色的高速开关性能与高电压耐受能力的结合。该器件采用优化的P型外延层掺杂工艺，有效控制载流子寿命，显著缩短了反向恢复时间（trr），典型值仅为75ns，远低于标准快恢复二极管。这种快速恢复特性极大地减少了在高频开关过程中产生的反向恢复电荷（Qrr），从而降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），有利于提高电源系统的转换效率并简化滤波电路设计。
　　在正向导通方面，UF740-HC1通过低欧姆率的金属化系统和精细的结深控制，实现了较低的正向压降（VF ≤ 1.3V at 1A），这不仅减少了导通期间的功率损耗，也提升了器件在持续负载下的热稳定性。同时，其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平（典型值小于50μA at 125℃），确保了在高温工况下依然具备良好的阻断能力。
　　该芯片还具备优异的雪崩能量耐受能力，在瞬态过压情况下可提供一定程度的自我保护，增强了系统鲁棒性。其结构设计兼顾了电场分布均匀性与热传导效率，避免局部热点形成，延长了器件寿命。此外，UF740-HC1符合RoHS环保要求，不含铅、镉等有害物质，适用于无铅回流焊工艺，兼容现代自动化贴片生产线。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在各种应用场景下长期稳定运行。

UF740-HC1广泛应用于多种电力电子变换场合，尤其适合需要高电压隔离与高效整流的开关模式电源（SMPS）中。典型应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、液晶电视电源板、LED照明驱动电源等消费类电子设备中的次级侧整流或同步整流辅助电路。在这些应用中，UF740-HC1凭借其1000V的高耐压能力，能够有效应对线路波动和变压器漏感引起的电压尖峰，保障系统安全。
　　此外，该器件也常用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器中的输出整流或钳位电路，其快速恢复特性可减少与MOSFET或IGBT配合工作时的交叉导通风险，提升整体效率。在工业控制领域，如PLC电源模块、小型伺服驱动器和通信电源中，UF740-HC1因其高可靠性和宽温工作范围而被广泛采用。
　　在新能源应用方面，该二极管可用于光伏微逆变器中的旁路或防反接功能，防止热斑效应造成的能量损失和组件损坏。同时，在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，它也可作为桥式整流或续流元件，支持高频化设计趋势。由于其小型化封装和优良的散热性能，UF740-HC1特别适合空间受限但对功率密度要求较高的紧凑型电源设计。

MUR1100E
　　HER108
　　1N5408
　　ES1J