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FDD8874 发布时间 时间:2025/5/15 15:19:39 查看 阅读:16

FDD8874是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点,适合高效能功率管理应用。
  其封装形式通常为TO-220或TO-252,具体取决于制造商的版本。FDD8874以其优异的电气特性和热性能在工业及消费电子领域备受青睐。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(典型值):30mΩ
  栅极电荷:11nC
  总功耗:90W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

FDD8874的核心优势在于其高效的功率转换能力。它具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,减少开关过程中的能量损失。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
  4. 高电流承载能力,适用于多种大功率应用场景。
  5. 小型化设计,便于系统集成。
  FDD8874还具有较高的抗静电能力,提升了产品的可靠性和耐用性。

应用

该芯片适用于各种需要高效功率管理的场合,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 汽车电子系统中的负载控制
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块
  FDD8874凭借其出色的电气性能和可靠性,成为这些应用的理想选择。

替代型号

FDP5500
  IRF540N
  STP12NF06L

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FDD8874参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C116A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.1 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2990pF @ 15V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)