MMBT8550C是一种常见的NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于音频放大器、射频电路以及各种模拟和数字电路中。该晶体管属于TO-236封装类型,具有高增益、低噪声和良好的频率响应特性,适合用于小信号放大和开关应用。其典型工作电压范围为40V,能够提供较高的电流增益以满足多种电子设计需求。
MMBT8550C的制造工艺使其具备了较高的稳定性和可靠性,适用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中的各类应用。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:1.5A
功率耗散:625mW
直流电流增益(hFE):100~600
过渡频率(fT):300MHz
存储温度范围:-55℃至150℃
封装类型:TO-236
MMBT8550C的主要特性包括以下几点:
1. 高增益性能:直流电流增益(hFE)在100到600之间,适合于小信号放大的应用场景。
2. 良好的频率响应:其过渡频率高达300MHz,因此可以用于高频信号处理。
3. 稳定的工作温度范围:能够在-55℃至150℃范围内正常工作,适应不同环境条件下的使用需求。
4. 小型封装:采用TO-236封装形式,体积小巧,便于在紧凑空间内布局。
5. 可靠性高:经过优化设计后具备较高稳定性,在长时间运行过程中表现良好。
MMBT8550C晶体管主要应用于以下领域:
1. 音频放大器:由于其高增益和低失真特性,常被用作音频信号放大的关键元件。
2. 射频电路:凭借其优秀的频率响应能力,可用于无线通信系统中的信号处理部分。
3. 开关电路:在数字逻辑电路中充当开关角色,控制其他元器件的通断状态。
4. 消费电子产品:如电视、音响等设备内部都有可能集成该型号晶体管。
5. 工业自动化控制:参与构建传感器接口电路或电机驱动电路等复杂控制系统。
BC855C, MMBT3904, 2SC2678