时间：2025/8/7 12:40:29
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HERF1005G 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的高频、高效率的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高频率、高效率的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统等。HERF1005G 采用 SOT-23 封装，具有小型化、高功率密度和良好的热性能，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：4.3A
导通电阻 Rds(on)：25mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻 Rds(on)：35mΩ @ Vgs=2.5V
输入电容 Ciss：260pF
反向恢复时间 trr：30ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-23
HERF1005G 具有多个关键特性，使其在高频和高效率电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 25mΩ，而在更低的驱动电压（如 2.5V）下也能保持在 35mΩ 的水平，这使其适用于低压驱动电路。
其次，HERF1005G 具有优异的开关性能，输入电容仅为 260pF，有助于减少开关过程中的损耗，提高开关频率。此外，其反向恢复时间 trr 仅为 30ns，使得该器件在高频整流和同步整流应用中具有出色的性能表现。
HERF1005G 的最大漏源电压为 20V，最大连续漏极电流为 4.3A，具备良好的负载能力。其栅源电压范围为 ±12V，支持多种驱动电路设计，包括低压控制器和逻辑电路直接驱动。
该器件采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，适用于便携式电子产品、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关等应用。此外，HERF1005G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保其在各种环境条件下稳定运行。
HERF1005G 适用于多种高频、高效率的电源管理应用。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备电源管理电路、LED 驱动电路、电机控制电路、低电压功率开关等。
由于其低导通电阻和优异的开关性能，HERF1005G 在同步整流器中可有效降低导通和开关损耗，提高整体效率。此外，在便携式设备中，该器件可用于电源路径管理，确保电池供电系统的高效运行。
HERF1005G 也可用于负载开关电路，实现对负载的快速控制，防止过载或短路导致的系统损坏。同时，由于其封装小巧，HERF1005G 在空间受限的设计中具有显著优势。
Si2302DS, FDN306P, AO3400, NVTFS5C428NL, IRML2803
