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GA1210Y394KBXAR31G 发布时间 时间:2025/7/3 18:23:25 查看 阅读:6

GA1210Y394KBXAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  这款芯片采用了先进的制造工艺,在确保高可靠性和稳定性的同时,也具备良好的散热性能,适用于各种工业级和消费级电子设备中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  工作电压(Vds):60V
  漏极电流(Id):180A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):87nC
  输入电容(Ciss):3020pF
  结温范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:D2PAK-7

特性

GA1210Y394KBXAR31G 的核心优势在于其出色的电气性能与可靠性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率转换和更低的发热量。
  2. 高额定电流支持大功率应用需求,例如工业电机控制和电动汽车系统。
  3. 快速开关速度减少了开关损耗,适合高频操作环境。
  4. 先进的封装技术增强了热管理能力,延长了产品的使用寿命。
  5. 广泛的工作温度范围使其能够在极端条件下稳定运行,满足多样化应用场景的要求。
  此外,该器件还具备优异的静电防护能力和鲁棒性设计,进一步提升了整体系统的安全性和耐用性。

应用

GA1210Y394KBXAR31G 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC/DC 转换器中的主开关元件。
  2. 工业及家用电机驱动电路中的功率输出级。
  3. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电池管理系统(BMS) 及逆变器模块。
  4. 大功率 LED 照明驱动器中的同步整流功能实现。
  5. 各种需要快速切换和高效能量传输的应用场合,如 UPS 不间断电源和太阳能逆变器。

替代型号

GA1210Y395KBXAR31G
  IRFP2907
  FDP187N06L

GA1210Y394KBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.39 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-