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MMBT4403WT1G 发布时间 时间:2025/5/8 19:12:59 查看 阅读:5

MMBT4403WT1G 是一种常见的 NPN 型硅晶体三极管,属于 TO-236 封装(SOT-23 小型表面贴装封装)。该器件广泛应用于各种电子电路中,主要用作信号放大和开关控制。其高增益、低功耗和小型化的特点使其成为消费电子、通信设备和其他便携式电子产品中的理想选择。
  MMBT4403WT1G 属于 MMBT 系列晶体管,经过优化设计以提供稳定的性能和可靠性。该系列器件通常具有较低的饱和电压和较高的电流增益,非常适合在高频和低噪声应用中使用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):30V
  集电极电流(Ic):150mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  功率耗散(Ptot):350mW
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

1. 高电流增益,适用于信号放大和开关应用。
  2. 极低的饱和电压,提高了效率和热稳定性。
  3. 高频响应能力,适合高频电路设计。
  4. SOT-23 小型封装,节省空间并支持表面贴装技术(SMT)。
  5. 良好的电气特性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

1. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  2. 开关电源和稳压电路中的开关元件。
  3. 通信设备中的高频信号处理。
  4. 各种传感器接口电路的驱动。
  5. 电池供电设备中的电源管理与控制。
  6. 工业自动化设备中的逻辑电平转换和信号隔离。
  7. LED 驱动和负载切换应用。

替代型号

2SC4403, MMBT4403, PN2222A

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MMBT4403WT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT4403WT1GOSMMBT4403WT1GOS-NDMMBT4403WT1GOSTR