MMBTA55-AU_R1_000A1 是一款由ROHM Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大电路应用。该晶体管采用SOT-23小型封装,适用于需要低功耗和高性能的电子设备中。MMBTA55系列晶体管具有较高的电流增益(hFE)和较低的饱和电压(VCE(sat)),能够在宽温度范围内稳定工作,是工业控制、消费电子和通信设备中常用的晶体管之一。
类型:NPN型双极性晶体管(BJT)
最大集电极电流(IC):100mA
最大集电极-发射极电压(VCEO):300V
最大集电极-基极电压(VCBO):300V
最大发射极-基极电压(VEBO):5V
最大功耗(PD):300mW
电流增益(hFE):110-800(根据不同等级)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOT-23
MMBTA55-AU_R1_000A1晶体管具有多项优良特性,适用于多种电子应用。其高电流增益(hFE)确保了出色的信号放大能力,适用于音频放大器、开关电路和逻辑电平转换等应用。
此外,该晶体管的低饱和电压(VCE(sat))有助于减少功率损耗,提高系统效率,特别适用于电池供电设备和低功耗设计。
其NPN结构和300V的高击穿电压(VCEO和VCBO)使其能够在高压环境中稳定运行,适用于工业控制和电源管理电路。
由于采用了SOT-23小型封装,该晶体管不仅占用空间小,还便于在高密度PCB布局中使用,广泛应用于便携式电子产品和嵌入式系统中。
MMBTA55-AU_R1_000A1还具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境。
MMBTA55-AU_R1_000A1晶体管广泛应用于多个领域。在工业控制方面,常用于继电器驱动、电机控制和传感器信号处理等电路中。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该晶体管可用于LED驱动、信号放大和电源管理模块。
在通信设备中,该晶体管适用于射频(RF)放大、数据传输和接口电路。
此外,MMBTA55-AU_R1_000A1也适用于各种通用开关应用,如逻辑电平转换、数字电路中的晶体管-晶体管逻辑(TTL)接口,以及模拟信号的放大与调节。
由于其高可靠性和宽温度适应性,该晶体管也常用于汽车电子系统,如车载控制模块、传感器接口和车载娱乐系统的电源管理部分。
MMBTA55-ASE-R1、MMBTA55-AU-7、MMBTA55-AU_R1_000A2