LTL1CHJGDNN 时间：2025/9/6 6:57:54 阅读：7

LTL1CHJGDNN 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具备低导通电阻和高耐压能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。该 MOSFET 采用小型表面贴装封装（如 SON 封装），有助于节省电路板空间并提高整体系统效率。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：5.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（典型值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：1.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SON（小外形无引脚封装）

特性

LTL1CHJGDNN 具备多项优良特性，适用于多种高性能电子系统。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该 MOSFET 在 VGS=4.5V 时的典型 RDS(on) 值为 15mΩ，适用于低电压、高电流的应用场景。
　　其次，该器件的漏源耐压为 20V，能够承受较高的电压应力，适用于 12V 或 19V 系统中的功率开关和负载管理。
　　此外，LTL1CHJGDNN 采用 SON 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，有利于实现紧凑的 PCB 布局和高密度集成。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 8V 的逻辑电平控制，便于与现代低电压微控制器或数字信号处理器（DSP）配合使用。
　　同时，LTL1CHJGDNN 具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于工业控制、电池供电设备、便携式电子产品以及 LED 照明等应用领域。

应用

LTL1CHJGDNN 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其适用于需要高效、小型化功率管理的场合。
　　在电源管理方面，该 MOSFET 可用于同步整流 DC-DC 转换器、降压（Buck）和升压（Boost）变换器中，以提升转换效率并减少发热。
　　在负载开关和热插拔应用中，LTL1CHJGDNN 的低导通电阻和快速开关能力有助于实现精确的电流控制和保护功能。
　　该器件还适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及便携式医疗设备，作为电源开关或功率调节元件。
　　此外，LTL1CHJGDNN 可用于电机驱动和 LED 照明系统的功率控制部分，支持 PWM 调光和调速功能，提升系统能效和响应速度。
　　在工业自动化和控制系统中，该 MOSFET 可用于继电器替代、传感器电源管理以及 PLC（可编程逻辑控制器）中的功率输出级。