型号：CL21B682KCANNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：6.8nF (6800pF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　端接类型：Ni-Pd/Sn（镍钯镀锡）
　　抗硫化性能：有
　　RoHS合规性：符合
　　无卤素：是

CL21B682KCANNNC 采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了器件在宽温度范围内具有出色的电容稳定性。其X7R类电介质材料能够在-55°C到+125°C的极端温区内保持电容变化不超过±15%，这使得该电容器非常适合用于对温度敏感的应用场合，如精密模拟电路、传感器接口和电源反馈回路。相比Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的材料，X7R提供了更佳的平衡性，在容量密度与稳定性之间实现优化。该器件的50V额定电压使其能够胜任大多数中低压直流系统的去耦需求，例如微控制器供电引脚的噪声抑制、ADC参考电压滤波以及DC-DC转换器输出端的平滑滤波。
　　结构上，CL21B682KCANNNC 使用镍钯（Ni-Pd）作为内部电极的外露端接材料，并在其表面覆盖一层可焊性良好的锡层。这种设计不仅增强了焊接可靠性，还显著提升了器件在含硫环境中的抗腐蚀能力，防止因银离子迁移导致的短路失效，从而提高了产品在工业现场或户外设备中的长期运行寿命。同时，其0805小型化封装便于高密度PCB布局，兼容自动贴片机和回流焊工艺，有助于提升生产效率和良率。该电容器不含铅和其他有害物质，符合欧盟RoHS指令要求，并且为无卤素产品，减少燃烧时产生的有毒气体，适用于对环保有严格要求的设计项目。
　　在电气性能方面，该MLCC具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频下仍能有效发挥去耦作用，抑制电源轨上的高频噪声。虽然其电容值不如电解电容或钽电容大，但在几纳法至数百纳法的范围内，MLCC凭借其优异的频率响应特性成为首选元件。CL21B682KCANNNC 的±10%容差也保证了批次间的一致性，有利于提高电路设计的可重复性和量产稳定性。整体而言，这款电容器结合了高性能、高可靠性和环保特性，是现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

CL21B682KCANNNC 主要应用于需要稳定电容值和较高可靠性的电子电路中。常见用途包括各类电源管理模块中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并降低纹波噪声；在DC-DC转换器、LDO稳压器周围作为去耦电容，以提供瞬态电流支持并增强系统稳定性。该器件也广泛用于模拟信号链路中，如运算放大器的偏置电路、有源滤波器和ADC/DAC参考电压缓冲电路，利用其良好的温度稳定性和低泄漏特性保障信号精度。此外，在数字系统中，它常被布置在微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近，起到高频旁路作用，吸收开关噪声，防止电磁干扰影响逻辑电平。
　　通信设备中，该电容器可用于射频前端模块的偏置网络或匹配电路中，尽管不直接参与高频主通路，但对提高系统整体EMI性能具有积极作用。在工业控制领域，如PLC、传感器变送器和人机界面设备中，其抗硫化能力和宽温特性使其能在高温、高湿或污染较重的环境中长期稳定工作。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等也大量使用此类0805封装MLCC，以实现小型化和高集成度设计。另外，由于其符合无卤和RoHS标准，也适用于医疗电子、汽车电子外围电路（非动力系统）等对材料安全性要求较高的应用场景。总之，CL21B682KCANNNC 凭借其综合性能优势，成为众多电子设计中的标准配置元件。

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　　 "CL21B682KBANNNC",
　　 "GRM21BR71H682KA01",
　　 "C2012X7R1H682K",
　　 "ECJ-2VB1H682K",
　　 "LC0805X7R1H682MR"
　　]