MPAB 时间：2025/7/23 21:57:55 阅读：4

MPAB 是一个系列的功率MOSFET器件，通常用于高效率电源转换和功率管理应用。该系列器件由多家半导体制造商生产，包括国际整流器（International Rectifier）、英飞凌（Infineon）和其他厂商。MPAB系列的MOSFET通常具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用。MPAB系列的不同型号可根据最大工作电压和电流进行分类，例如MPAB20N03、MPAB30N06等，以满足不同功率等级的需求。

参数

类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：12V至60V不等（取决于具体型号）
　　最大漏极电流（ID）：20A至60A不等（常温下）
　　RDS(on)：低至几毫欧（例如：MPAB30N06的RDS(on)约为4.5mΩ）
　　最大功耗（PD）：100W至250W（根据封装和型号）
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）、PowerPAK等
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

MPAB系列功率MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。首先，其低RDS(on)特性显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，MPAB系列器件的高电流容量使其能够处理大负载电流，适用于高性能电源系统。该系列MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流。MPAB系列采用先进的封装技术，如TO-220和D2PAK，提供了良好的热管理和机械稳定性。此外，这些器件具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性。MPAB系列还具备低门极电荷（Qg），降低了驱动电路的负担，提高了整体系统的响应速度。