CEB13N10 时间：2025/7/11 21:34:52 阅读：12

CEB13N10 是一种 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
　　该 MOSFET 的封装形式通常是 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的规格设计。它能够在较高的电流和电压条件下运行，同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：13A
　　导通电阻：8mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　最大工作结温：175°C
　　总耗散功率（TA=25°C）：106W

特性

CEB13N10 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型工作条件下可显著降低传导损耗。
　　2. 高速开关能力，得益于其较小的栅极电荷和输出电荷，能够减少开关损耗。
　　3. 较高的雪崩击穿能量 (EAS)，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
　　4. 支持大电流操作，适合高功率应用。
　　5. 内置反向二极管，简化电路设计并提高效率。
　　6. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。

应用

CEB13N10 主要用于以下领域：
　　1. 开关电源中的功率开关。
　　2. 各种 DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
　　3. 电机控制与驱动电路。
　　4. 电池管理系统的充电/放电路径控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换。
　　6. 可再生能源系统中的逆变器组件。
　　7. 汽车电子中的高边和低边开关。