MMBT3904WT1G 和 LMBT3904WT1G 是两款常见的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于通用开关和放大电路应用。这两款晶体管均由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,属于低成本、高性能的通用晶体管。MMBT3904WT1G 通常用于标准应用,而 LMBT3904WT1G 则优化了低饱和电压特性,适用于需要更高效率的开关应用。它们采用SOT-23(TO-236)小型封装,适用于表面贴装工艺。
类型:NPN双极性晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):40V
最大集电极电流(IC):200mA
最大功率耗散(PD):300mW
电流增益(hFE):在IC=2mA时为100至300(取决于等级)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23(TO-236)
MMBT3904WT1G 和 LMBT3904WT1G 是高性能的NPN晶体管,适用于广泛的电子电路设计。它们具备良好的频率响应和稳定的电流增益,在放大和开关应用中表现优异。其中,MMBT3904WT1G 是标准型号,具有典型的电流增益和开关特性,适用于数字电路、逻辑门电路和小信号放大器。LMBT3904WT1G 则在设计上优化了集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)),使其在导通状态下的功耗更低,特别适合用于需要高效率和低功耗的开关应用。
这两款晶体管的封装形式为SOT-23,体积小巧,适合在空间受限的电路中使用。此外,它们的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。MMBT3904WT1G 和 LMBT3904WT1G 的引脚排列一致,便于在不同设计中互换使用。它们的基极、集电极和发射极结构清晰,易于与其他电路元件连接,适合用于分立元件和中小规模集成电路的设计。
从电气性能来看,这两款晶体管在25°C环境温度下的典型参数表现良好。例如,在IC=2mA时,hFE(电流增益)可达到100至300之间,具体数值取决于不同的等级(如RL、SL等)。它们的最大集电极电流为200mA,能够驱动小型继电器、LED显示屏、逻辑门电路以及其他低功率负载。此外,其最大集电极-发射极电压为40V,使其在中等电压条件下仍能稳定工作。
MMBT3904WT1G 和 LMBT3904WT1G 主要用于各种通用电子电路中的信号放大和开关控制。例如,在数字电路中,它们可用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换器;在模拟电路中,则可用于音频放大器、运算放大器前端以及电压调节电路。LMBT3904WT1G 因其较低的饱和电压特性,常用于电池供电设备、低功耗传感器接口和DC-DC转换器中的开关元件。此外,它们还可用于驱动继电器、小型马达、LED灯组以及各种类型的负载控制电路。由于其小型SOT-23封装,它们也广泛应用于便携式电子设备、嵌入式系统和消费类电子产品中。
BC847系列, 2N3904, PN2222A