ST6NF06是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的技术设计,具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等特点,适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机控制、负载开关和电池管理系统等场景。ST6NF06的封装形式通常为TO-220或D2PAK(TO-263)等标准功率封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):4.8A(在25°C环境温度下)
导通电阻(RDS(on)):通常为1.2Ω(最大值为1.8Ω)
栅极阈值电压(VGS(th)):1V至2.5V
最大功率耗散(PD):30W(TO-220封装)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220、D2PAK等
ST6NF06的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压额定值为60V,适用于中等功率的开关应用。ST6NF06的栅极驱动电压范围较宽,可在2.5V至10V之间正常工作,使其兼容多种驱动电路设计。该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温环境下稳定运行。此外,其快速开关特性降低了开关损耗,适用于高频开关电源设计。ST6NF06的封装设计考虑了良好的散热性能,确保在高电流应用中保持较低的结温。
ST6NF06广泛应用于各类功率电子设备中,例如DC-DC降压或升压转换器、开关电源(SMPS)、负载开关、电池管理系统(BMS)中的保护电路、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也常用于LED照明驱动、消费类电子产品电源管理以及汽车电子系统中的功率开关。
IRFZ44N, FQP4N60, STP4NK60Z, 2N6764