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MMBT3416LT3G 发布时间 时间:2025/5/29 23:42:30 查看 阅读:29

MMBT3416LT3G是一种NPN型硅晶体管,广泛应用于高频和高速开关电路中。它具有低噪声、高增益和高频率响应的特点,适用于各种电子设备中的信号放大和开关功能。
  该型号属于SOT-23封装形式的小型表面贴装器件,能够节省PCB板空间并提高组装效率。由于其优异的电气性能,MMBT3416LT3G被广泛用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。

参数

集电极-发射极击穿电压:40V
  集电极最大电流:0.8A
  直流电流增益(hFE):100~400
  工作频率:300MHz
  功耗:625mW
  封装类型:SOT-23

特性

MMBT3416LT3G晶体管的主要特性包括:
  1. 高增益范围(hFE为100至400),适合于需要较高电流放大的应用。
  2. 支持高达300MHz的工作频率,使其成为高频信号处理的理想选择。
  3. 使用SOT-23小型化封装,方便在紧凑设计中使用,并且易于自动化生产。
  4. 较低的噪声系数,确保在音频及射频电路中有更好的性能表现。
  5. 可靠性高,能够在较宽的温度范围内稳定运行(-55°C到+150°C)。
  这些特点使得MMBT3416LT33G成为众多便携式设备和无线通信模块的核心元件之一。

应用

MMBT3416LT3G晶体管可应用于以下场景:
  1. 射频和中频放大器,在通信系统中进行信号增强。
  2. 开关电源中的高速开关,以实现高效的电压转换。
  3. 工业控制系统中的信号调节与驱动电路。
  4. 消费类电子产品如手机、平板电脑等的音频放大电路。
  5. 脉冲调制和数据传输中的信号整形与缓冲。
  6. 测量仪器中的前置放大器,提升输入灵敏度。

替代型号

MMBT3904LT3G, MMBT3417LT3G

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MMBT3416LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 3mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)75 @ 2mA,4.5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)