类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.42Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
　　最大耗散功率（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

IXFM12N50 的设计具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其 500V 的漏极-源极电压能力使其适用于高电压电路，同时具备 12A 的连续漏极电流能力，能够处理相对较大的负载。该器件的导通电阻较低，典型值为 0.42Ω，这意味着在导通状态下功耗较低，有助于提高系统效率。此外，IXFM12N50 提供了良好的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下工作。其 TO-220 封装形式便于散热，适合各种功率电子设备的安装和使用。该器件还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了整体系统的响应速度。这些特性使得 IXFM12N50 成为许多工业和电力电子应用的理想选择。
　　在实际应用中，IXFM12N50 被广泛用于电源转换器、电机驱动器和工业自动化控制系统。它的高耐压和高电流能力使其能够处理复杂的负载条件，而低导通电阻则有助于减少能量损失，提高整体效率。此外，该器件的热稳定性使其在高温环境下依然能够可靠运行，适用于需要长时间工作的工业设备。

IXFM12N50 主要应用于开关电源、逆变器、电机控制器、工业自动化设备、LED 照明系统以及功率因数校正（PFC）电路等。由于其高耐压和高效率特性，该器件在这些应用中可以提供稳定的性能和较长的使用寿命。

STP12N50, IRFBC40, FQA12N50