RF1674ATR13-5K 时间：2025/8/15 22:04:22 阅读：8

RF1674ATR13-5K 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的射频（RF）晶体管，主要用于高频功率放大器应用。该器件基于砷化镓（GaAs）技术制造，适用于高频段的无线通信设备。RF1674ATR13-5K 具有高功率增益、良好的线性度以及高效的输出功率特性，适合在2GHz左右的频段工作。

参数

频率范围：1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率：典型值为28 dBm（1 W）
　　功率增益：约20 dB
　　漏极效率：约60%
　　漏极电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT），具体为HBT-10封装
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出匹配

特性

RF1674ATR13-5K 采用先进的GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极晶体管）工艺制造，这使得它在高频应用中表现出优异的性能。
　　该晶体管在2GHz频段内提供高达1W的输出功率，并具有良好的线性度，这对于需要高保真度信号放大的通信系统来说至关重要。
　　其高漏极效率（60%以上）意味着更低的功耗和更少的热量产生，有助于提高设备的整体能效。
　　此外，RF1674ATR13-5K 具有良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下长期运行。
　　封装设计优化了射频性能，支持表面贴装工艺，便于集成到现代通信设备的PCB中。
　　该器件通常用于无线基础设施、蜂窝基站、WiMAX、微波通信等应用领域。

应用

RF1674ATR13-5K 主要用于无线通信系统的功率放大器模块，尤其是在2GHz频段的移动通信基站、WiMAX设备、微波链路、无线接入点和测试测量设备中。
　　由于其高线性度和高效率，该晶体管也适用于需要高保真信号放大的应用，如广播设备和卫星通信系统。
　　此外，RF1674ATR13-5K 可用于工业和商业射频设备，如RF测试仪器、远程无线传感器和物联网（IoT）网关。