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MMBFU310LT1G 发布时间 时间:2025/4/29 10:30:15 查看 阅读:2

MMBFU310LT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管。该器件采用SOD-123FL封装形式,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于各种高效能电源转换和保护电路中。其设计主要用于降低功耗并提高效率,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
  该型号是MBFU310系列的一部分,具有良好的热稳定性和可靠性,能够满足现代电子产品对高效率和小型化的要求。

参数

最大正向电流:1A
  峰值反向电压:40V
  正向电压:0.36V(在If=100mA时)
  反向恢复时间:8ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOD-123FL

特性

1. 超低的正向压降,有助于减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 极短的反向恢复时间,确保在高频应用中的卓越性能。
  3. 小型化的SOD-123FL封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
  4. 高温稳定性,在极端温度条件下仍可保持稳定的电气性能。
  5. 可靠性高,使用寿命长,符合严格的工业标准。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. 消费类电子产品的保护电路设计。
  3. 便携式设备中的电池充电保护。
  4. 通信设备中的高频信号处理。
  5. 各种逆变器、DC-DC转换器中的关键元件。
  6. 工业控制和汽车电子中的功率管理电路。

替代型号

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MMBFU310LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id2.5V @ 1nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5pF @ 10V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开)-
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBFU310LT1GOSMMBFU310LT1GOS-NDMMBFU310LT1GOSTR