C2012JB1A156M125AB 是一款陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术(MLCC)制造。该电容器具有高可靠性、小尺寸和低等效串联电阻(ESR)的特点,适用于高频滤波、去耦和其他高频电路应用。其封装为 2012 尺寸(公制),适合表面贴装工艺。
型号:C2012JB1A156M125AB
额定电压:125V
电容值:15pF
公差:±1%
温度特性:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:2012 (公制)
尺寸:2.0mm x 1.2mm
介质材料:陶瓷
耐湿性等级:符合 IEC 60068-2-60 标准
标准:符合 RoHS 和 REACH 要求
C2012JB1A156M125AB 使用 C0G(NP0)温度补偿型陶瓷介质,具有出色的温度稳定性,在整个工作温度范围内电容值变化极小。此外,由于其低 ESR 和 ESL 特性,该电容器非常适合高频应用,例如射频电路中的滤波和匹配网络。同时,该型号的高可靠性和小型化设计使其成为现代电子设备的理想选择。
这种电容器支持自动化表面贴装技术(SMT),能够有效提升生产效率并降低制造成本。它还通过了多项国际认证,确保在各种严苛环境下的稳定性能。
C2012JB1A156M125AB 广泛应用于高频电路中,包括但不限于以下领域:
1. 滤波电路
2. 去耦电容
3. 射频模块
4. 高速数据通信
5. 工业控制设备
6. 医疗电子
7. 汽车电子系统
8. 消费类电子产品中的高频信号处理部分
C2012JB1A156M125AC
C2012JB1A156M125AD
C2012JB1A156M125AE