时间：2025/6/5 9:36:36
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C2012JB1A156M125AB 是一款陶瓷电容器，采用多层陶瓷技术（MLCC）制造。该电容器具有高可靠性、小尺寸和低等效串联电阻（ESR）的特点，适用于高频滤波、去耦和其他高频电路应用。其封装为 2012 尺寸（公制），适合表面贴装工艺。
型号：C2012JB1A156M125AB
额定电压：125V
电容值：15pF
公差：±1%
温度特性：C0G/NP0
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：2012 (公制)
尺寸：2.0mm x 1.2mm
介质材料：陶瓷
耐湿性等级：符合 IEC 60068-2-60 标准
标准：符合 RoHS 和 REACH 要求
C2012JB1A156M125AB 使用 C0G（NP0）温度补偿型陶瓷介质，具有出色的温度稳定性，在整个工作温度范围内电容值变化极小。此外，由于其低 ESR 和 ESL 特性，该电容器非常适合高频应用，例如射频电路中的滤波和匹配网络。同时，该型号的高可靠性和小型化设计使其成为现代电子设备的理想选择。
这种电容器支持自动化表面贴装技术（SMT），能够有效提升生产效率并降低制造成本。它还通过了多项国际认证，确保在各种严苛环境下的稳定性能。
C2012JB1A156M125AB 广泛应用于高频电路中，包括但不限于以下领域：
1. 滤波电路
2. 去耦电容
3. 射频模块
4. 高速数据通信
5. 工业控制设备
6. 医疗电子
7. 汽车电子系统
8. 消费类电子产品中的高频信号处理部分
C2012JB1A156M125AC
C2012JB1A156M125AD
C2012JB1A156M125AE
