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MMBF4392LT1 发布时间 时间:2025/5/12 12:46:44 查看 阅读:5

MMBF4392LT1 是一款由 NXP(恩智浦)生产的双极性晶体管(BJT),具体为一个 PNP 型晶体管。该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点,广泛应用于各种便携式电子设备和功率管理电路中。
  它适合用于负载开关、电平转换、恒流源以及低功耗应用中的信号放大或切换功能。由于其紧凑的封装形式和出色的电气性能,MMBF4392LT1 成为了许多设计工程师在需要小型化和高效能解决方案时的首选。

参数

集电极-发射极击穿电压:45V
  集电极电流(最大):-200mA
  直流电流增益(hFE):250~600
  集电极-发射极饱和电压:0.2V(典型值)
  功耗(最大):350mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MMBF4392LT1 的主要特点包括以下几点:
  1. 高电流增益:直流电流增益 hFE 范围为 250 到 600,在小信号应用中提供了较高的控制精度。
  2. 低饱和电压:典型值仅为 0.2V,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力:得益于其优化的设计,可以实现快速的导通与关断,适用于高频场景。
  4. 紧凑封装:SOT-23 封装使得这款晶体管非常适合空间受限的应用环境。
  5. 宽广的工作温度范围:从 -55°C 到 +150°C 的温度区间保证了其在极端条件下的可靠性。

应用

MMBF4392LT1 可以用于多种电子电路中,例如:
  1. 负载开关:用来控制负载电路的开启和关闭。
  2. 电平转换:在不同逻辑电平之间进行转换。
  3. 恒流源:构建精确的恒定电流源,为 LED 或其他负载供电。
  4. 信号放大:放大微弱信号以便后续处理。
  5. 保护电路:用作过流保护或短路检测的一部分。

替代型号

MMBT4392LT1, BC847B, BC847C

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MMBF4392LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id2V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开)60 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装剪切带 (CT)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBF4392LT1OSCT