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RF1156SR 发布时间 时间:2025/8/16 4:40:10 查看 阅读:27

RF1156SR是一款由RF Micro Devices(现为Qorvo)制造的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的射频功率放大器应用。该器件基于硅双极晶体管技术,具有较高的输出功率和良好的线性度,适用于各种基站、无线基础设施和工业应用。RF1156SR设计用于在800 MHz至1000 MHz频率范围内工作,能够提供高达50W的连续波(CW)输出功率。

参数

类型:射频功率晶体管
  制造商:Qorvo (原RF Micro Devices)
  型号:RF1156SR
  晶体管类型:NPN硅双极结型晶体管(BJT)
  最大输出功率:50W CW(连续波)
  工作频率范围:800 MHz - 1 GHz
  封装类型:气密封陶瓷封装
  电源电压:建议工作电压为28V DC
  输入阻抗:50Ω(标称)
  输出阻抗:50Ω(标称)
  增益:约10 dB(典型值)
  效率:约60%(典型值)
  热阻:封装至散热片热阻(Rth)为1.2°C/W
  工作温度范围:-40°C至+150°C

特性

RF1156SR具有多种优异的电气和热性能特性,以满足高性能射频功率放大器的需求。首先,该晶体管采用高效率的硅双极工艺制造,确保在高输出功率下仍能保持良好的能效,这对于需要长时间运行的通信设备尤为重要。
  其次,RF1156SR封装设计具有良好的散热性能,使得晶体管能够在高功率条件下保持稳定运行。陶瓷封装不仅提供了优异的热传导性能,还具备良好的机械稳定性和射频隔离性能,适合在严苛环境下使用。
  此外,该晶体管在800MHz至1GHz频率范围内具有良好的匹配性能,输入和输出阻抗均为50Ω,减少了外部匹配网络的复杂性。这使得它在多频段或多标准基站设计中非常适用,如GSM、CDMA、LTE等通信标准。
  RF1156SR还具备良好的线性度和互调性能,适合用于需要高信号保真的应用场景。其高线性度有助于减少信号失真,提高通信质量,并降低后续滤波器的设计要求。
  在可靠性方面,RF1156SR通过了严格的工业标准测试,包括热循环测试和长期负载测试,确保其在高温和高功率条件下仍能保持稳定运行。

应用

RF1156SR广泛应用于各类射频功率放大器设计中,特别是在无线通信基础设施领域。常见的应用包括:
  1. 移动通信基站:如GSM、CDMA、LTE等系统的功率放大器模块。
  2. 工业与科学设备:如射频测试仪器、医疗设备中的射频能量发生器。
  3. 无线电广播设备:用于调频(FM)广播发射器的末级功率放大器。
  4. 军用和航空航天设备:适用于需要高可靠性和高功率输出的战术通信系统和导航设备。
  由于其高功率处理能力和良好的线性度,RF1156SR也常用于宽带射频放大器和多频段放大器设计中。

替代型号

RF1156SR的替代型号包括:MRF151G、BLF188XR、RF3128、RFV2913、CMXA25125S

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