您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KTC3875S-GR-RTK

KTC3875S-GR-RTK 发布时间 时间:2025/9/12 14:56:46 查看 阅读:2

KTC3875S-GR-RTK 是一款由 KEC(东芝)公司生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),广泛用于低噪声前置放大器、射频(RF)放大器以及开关电路等应用。该晶体管采用 SOT-23 封装,具有良好的高频性能和稳定性,适合用于需要低噪声和高增益的场合。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  增益带宽积(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)

特性

KTC3875S-GR-RTK 具有优异的低噪声性能,这使其在射频和音频前置放大器中表现出色。其高频响应良好,fT 值高达 250MHz,确保了在射频应用中的稳定性。
  此外,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,根据不同的等级,其 hFE 值可以在 110 到 800 之间变化,适用于多种放大需求。SOT-23 小型封装形式不仅节省空间,还便于在高密度 PCB 设计中使用。
  该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,在工业级温度范围内(-55°C 至 150°C)均可正常工作。其最大功耗为 300mW,能够支持中等功率的应用需求。
  由于其低噪声系数和高增益特性,KTC3875S-GR-RTK 常用于无线通信设备、传感器放大器、音频放大器以及各种开关电路中。

应用

KTC3875S-GR-RTK 常用于低噪声前置放大器、射频放大器、音频放大器、传感器信号调理电路以及通用开关电路等场景。该晶体管特别适用于需要低噪声和高增益的小信号放大应用,如无线通信接收器、音频前置放大器和数据采集系统。

替代型号

2N3904, BC547, KTC3875Y

KTC3875S-GR-RTK推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价