晶体类型：双通道NPN晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功率耗散（Pd）：300mW
　　增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

MMBD7000 T/R的主要特性包括高增益性能、低噪声系数以及出色的高频响应。其两个NPN晶体管是完全独立的，可以用于独立的放大或开关操作，也可以在电路中组合使用以实现更复杂的功能。该器件具有良好的温度稳定性和较高的可靠性，适合在广泛的工业环境温度范围内工作（通常为-55°C至150°C）。此外，SOT-23封装形式使得MMBD7000 T/R在PCB布局中占用空间小，非常适合高密度电路设计。
　　MMBD7000 T/R的增益（hFE）范围广泛，根据不同的工作电流和电压条件，可以提供从110到800的不同增益等级，这使得它在各种应用中具有很高的灵活性。其最大工作频率（fT）为100MHz，意味着它可以在较高的频率下保持良好的放大性能，适用于射频（RF）前端放大器、高速开关电路和振荡器设计。
　　此外，该器件具有较低的饱和压降（Vce_sat），通常小于0.2V，在导通状态下能够减少功耗并提高电路效率。MMBD7000 T/R的引脚排列合理，便于PCB布线，并且与许多标准的双极型晶体管引脚兼容，方便用户进行替代和设计。

MMBD7000 T/R广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 放大电路：如音频放大器前置级、射频信号放大等；
　　? 开关电路：用于数字电路中的信号切换、继电器驱动、LED驱动等；
　　? 逻辑电平转换：在不同电压电平之间进行信号转换；
　　? 工业控制：如传感器信号处理、继电器控制和电机驱动；
　　? 通信设备：用于信号调节、缓冲和逻辑接口；
　　? 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理单元。

BC847系列, 2N3904, PN2222, MMBT2222, MMBT3904