时间：2025/12/26 10:32:23
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MMBD4448HTC-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅肖特基二极管，广泛应用于高频开关电路和信号整流场合。该器件采用SOD-323（SC-76）小型封装，具有低正向电压降、快速开关响应和高可靠性等优点，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局设计。MMBD4448HTC-7-F的结构为单个肖特基势垒二极管，其命名中的“4448”沿用了传统1N4148信号二极管的行业习惯，但实际电气特性更优，尤其是在开关速度和漏电流控制方面进行了优化。该器件符合RoHS环保要求，并支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造。由于其小尺寸和高性能，MMBD4448HTC-7-F常用于消费类电子、通信模块、电源管理单元以及各种模拟与数字接口保护电路中。
类型：肖特基二极管
配置：单只二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：75V
最大直流阻断电压（VR）：75V
最大正向平均整流电流（IO）：200mA
峰值浪涌正向电流（IFSM）：500mA
最大正向电压（VF）@ 10mA：1.0V
最大反向漏电流（IR）@ 75V, 25°C：5μA
反向恢复时间（trr）：4ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装/包装：SOD-323（SC-76）
安装类型：表面贴装（SMT）
MMBD4448HTC-7-F具备优异的高频开关性能，得益于其肖特基势垒结构，实现了极短的反向恢复时间（典型值仅为4ns），远优于传统的PN结二极管如1N4148。这种超快的开关能力使其非常适合在高速数字信号线路中用作钳位、整形和隔离元件。同时，该器件具有较低的正向导通压降，在10mA工作电流下典型VF值为0.85V，最大不超过1.0V，有助于降低功耗并提高系统效率，尤其在电池供电设备中意义重大。其反向漏电流控制良好，在室温下最大为5μA，在高温环境下也保持相对稳定，确保了在精密模拟电路中的可靠性。
该器件采用SOD-323微型表面贴装封装，尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm左右，节省PCB空间，便于实现高密度集成。封装材料具有良好的热稳定性和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。MMBD4448HTC-7-F的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），增强了其在车载电子系统中的适用性。产品符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，满足现代环保法规要求。其高可靠性和一致性使其成为众多OEM厂商首选的通用信号二极管解决方案之一。
MMBD4448HTC-7-F广泛应用于各类需要快速开关响应和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括高速数字逻辑电路中的信号整形与隔离，例如在微控制器I/O端口、FPGA或ASIC外围电路中作为电平钳位或噪声抑制元件。它也常用于电源轨之间的防倒灌二极管、电池备份电路中的隔离二极管以及DC-DC转换器中的续流或箝位应用。在通信接口保护方面，可用于USB、I2C、SPI等总线的静电放电（ESD）防护和瞬态电压抑制辅助电路。此外，由于其良好的高频特性，该器件还适用于射频（RF）信号检波、调制解调电路及小信号整流场合。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，因其小型化封装而被大量采用。工业控制设备、传感器模块、LED驱动电路以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统等也是其典型应用场景。
BAS40-04W-7-F
RB520S-40T1G
MBR0520T1G
PMDS390
