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MMBD4448H-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:13:04 查看 阅读:10

MMBD4448H-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管,广泛应用于高速开关和信号整流场合。该器件采用SOD-123封装,具有小型化、高可靠性以及优异的热稳定性特点,适合在紧凑型电子设备中使用。MMBD4448H-7-F的设计优化了反向漏电流和正向导通电压之间的平衡,使其在高频应用中表现出色。其快速恢复特性(通常小于4纳秒)确保了在高频开关环境下的高效性能,适用于现代通信系统、消费类电子产品及便携式设备中的电源管理和信号处理电路。该二极管具备良好的浪涌电流承受能力,并符合RoHS环保标准,同时支持无铅焊接工艺,适应当前绿色制造的需求。由于其稳定的电气特性和广泛的温度工作范围,MMBD4448H-7-F被广泛用于各类模拟与数字系统的接口保护、电平转换、钳位电路以及反向极性保护等应用场景。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SOD-123
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  正向电流(IF):300mA
  峰值重复反向电压(VRRM):75V
  非重复峰值正向电流(IFSM):500mA
  最大正向电压(VF):1V @ 10mA
  最大反向漏电流(IR):5μA @ 75V
  反向恢复时间(trr):4ns
  工作结温范围:-65℃ ~ +125℃
  热阻抗(RθJA):350℃/W
  安装类型:表面贴装

特性

MMBD4448H-7-F的核心优势在于其卓越的高速开关性能与低正向压降特性,这使其成为高频信号整流和快速切换应用的理想选择。该器件的反向恢复时间极短,典型值仅为4ns,显著减少了开关过程中的能量损耗和噪声产生,提升了整体系统效率。这种快速响应能力对于射频检测电路、高速数据线路的瞬态抑制以及开关电源中的续流路径至关重要。此外,其正向导通电压较低,在10mA条件下典型值为0.85V,最大不超过1V,有效降低了功耗并提高了能效表现,特别适用于对能耗敏感的便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  该二极管采用成熟的硅半导体工艺制造,具备良好的一致性和长期稳定性。SOD-123封装不仅体积小巧,节省PCB空间,还具有优良的散热性能,能够在有限的空间内实现可靠的热管理。器件可在-65℃至+125℃的宽结温范围内稳定运行,适应严苛的工作环境。同时,它具备一定的浪涌电流耐受能力(IFSM达500mA),增强了在瞬态过载条件下的鲁棒性,可用于一定程度的过流保护场景。
  MMBD4448H-7-F通过了严格的工业级可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环和湿度敏感度等级评估,确保在批量生产中的一致性与耐用性。其无铅设计和符合RoHS指令的特点也满足现代电子产品对环保法规的要求,便于全球市场的合规准入。总体而言,这款二极管凭借其高速、低损耗、小尺寸和高可靠性的综合优势,在通信、计算、消费电子和工业控制等多个领域中得到了广泛应用。

应用

MMBD4448H-7-F因其优异的高频响应和低正向压降特性,广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括高速开关电源中的续流与箝位二极管,用于防止电感反冲电压损坏其他元件;在DC-DC转换器中作为输出整流或同步整流辅助二极管,提升转换效率。此外,该器件常用于信号解调电路,特别是在射频识别(RFID)和无线传感器网络中执行包络检波功能。
  在数字逻辑电路中,MMBD4448H-7-F可用于电平移位和信号整形,利用其快速导通特性实现精确的时间响应。它也广泛部署于各类接口保护电路中,例如USB端口、音频线路和传感器输入通道,用以抑制静电放电(ESD)和瞬态电压冲击,提高系统的电磁兼容性(EMC)性能。
  由于其小型化的SOD-123封装,该二极管非常适合高密度PCB布局,常见于智能手机、笔记本电脑、路由器、机顶盒和其他便携式消费类电子产品中。此外,在汽车电子系统中,虽然其功率等级不高,但仍可用于非动力域的小信号保护和信号处理模块。工业控制系统中的编码器反馈、PLC输入调理电路也能见到其身影。总之,凡涉及高频、低压、小电流且需要快速响应的二极管应用场景,MMBD4448H-7-F都是一个可靠而高效的选择。

替代型号

[
   "BAT54C",
   "RB520S-40",
   "PMGJ4448",
   "DMK14D4448"
  ]

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MMBD4448H-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)80V
  • 电流 - 平均整流 (Io)250mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 70V
  • 电容@ Vr, F3.5pF @ 6V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBD4448H-FDIDKR