时间：2025/4/30 14:13:39
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IDT71256S75DB是集成的伪静态RAM (PSRAM)，它结合了SRAM的易用性和DRAM的高密度优势。这款器件采用同步接口，支持突发模式操作，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。该芯片具有自刷新功能，从而简化了系统设计，并且其低功耗特性使其非常适合便携式设备和其他对能耗敏感的应用。
IDT71256S75DB拥有4M x 18位的存储容量，总容量为73.3V，支持快速访问时间，适合用于图形缓冲、网络通信和消费类电子产品的数据存储等应用。
存储容量：72Mb
组织方式：4M x 18
工作电压：3.3V
访问时间：7ns
封装形式：75引脚TBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：同步
75DB具备以下主要特性：
1. 高密度伪静态RAM，兼具SRAM的简单性和DRAM的大容量；
2. 支持突发模式，提升数据传输效率；
3. 自动刷新功能，无需外部控制电路；
4. 超低功耗待机模式，延长电池寿命；
5. 同步接口设计，便于与现代处理器无缝连接；
6. 宽工作温度范围，适应各种环境条件；
7. 紧凑型75引脚TBGA封装，节省PCB空间。
IDT71256S75DB广泛应用于以下领域：
1. 图形处理：作为图形缓冲器或帧缓冲器，支持高分辨率显示；
2. 网络通信：用于路由器、交换机中的数据包缓冲；
3. 游戏设备：提供高效的数据存储解决方案；
4. 消费类电子产品：如数码相机、媒体播放器等；
5. 工业自动化：用于实时数据采集和存储；
6. 嵌入式系统：作为主存储器或高速缓存。
IDT71V256S75DB, ISSI IS42/45S16400D
