KF4N20LW 时间：2025/9/12 18:04:35 阅读：17

KF4N20LW 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高可靠性，适用于高效率的开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等应用。KF4N20LW采用TO-220或TO-252等封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大漏极电流（ID）：4A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252等

特性

KF4N20LW MOSFET采用了先进的沟槽式制造工艺，使其在导通状态下具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件在设计上优化了开关特性，具有快速开关能力，适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）和LED驱动器。KF4N20LW还具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下保持稳定工作，并通过其封装设计实现良好的散热性能。此外，该MOSFET具备较高的抗雪崩能力和过载能力，提高了在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。由于其较低的栅极电荷（Qg），KF4N20LW在高频应用中可以减少驱动损耗，提高能效。同时，该器件的栅极氧化层经过优化设计，具备较高的击穿电压，从而增强了抗静电能力和长期稳定性。