时间：2025/8/14 6:32:07
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MMBD3004BRM_R1_00001 是一款由ON Semiconductor生产的双共阴极开关二极管阵列，适用于高频开关和保护电路。该器件采用先进的硅外延工艺制造，具有低正向压降和快速恢复时间的特点，非常适合用于通信设备、电源管理和信号路由等应用场景。
类型：开关二极管阵列
配置：双共阴极
最大正向电流（IF）：200 mA
最大反向电压（VR）：70 V
正向压降（VF）：1.25 V（最大值，IF=100 mA）
反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，VR=70 V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装
功耗（PD）：300 mW
MMBD3004BRM_R1_00001 采用双共阴极结构，使两个二极管共享一个公共阴极端子，简化了电路布局并减少了外部元件数量。该器件具有快速恢复时间（trr），通常小于4 ns，确保在高频开关应用中保持高效能。此外，其低正向压降特性有助于减少能量损耗，提高系统效率。MMBD3004BRM_R1_00001 还具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在各种严苛环境中使用。其SOT-23封装形式便于自动化装配，同时节省PCB空间，适用于便携式电子设备和紧凑型设计。该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适合现代绿色电子产品的要求。
该器件广泛应用于通信设备中的信号切换和保护电路，例如在射频前端模块中用于天线切换和信号路由。它也适用于电源管理系统，如电池充电电路中的反向电流保护和负载切换。此外，MMBD3004BRM_R1_00001 还可用于数字逻辑电路中的电平转换和隔离，以及汽车电子系统中的信号处理和保护。在消费类电子产品中，该器件可用于USB接口保护、音频信号切换等应用。由于其高频特性，也适合用于视频信号路由和高速数据通信中的信号完整性保护。
MMBD3004BRM, MMBD3004, RB751V-40, BAT54S
