容量：256K x 16位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：7 ns（纳秒）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2V
　　最大工作频率：143 MHz
　　刷新周期：64 ms
　　数据输出类型：三态输出
　　封装尺寸：约18.4 mm x 12.0 mm
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HM514260CLTT-7 是一款高性能的DRAM芯片，具有较快的访问速度和稳定的运行表现。其7纳秒的访问时间使其适用于对响应速度有一定要求的应用场景。该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积，同时保证了良好的电气性能和机械强度。工作电压为5V，允许10%的波动范围，因此在电源设计方面具有一定的灵活性。
　　该芯片支持标准的DRAM刷新操作，刷新周期为64毫秒，能够在不丢失数据的情况下维持较长的数据保存时间。其三态输出结构允许在总线上实现多设备共享，从而简化了系统设计并提高了整体效率。此外，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为严苛的环境条件下稳定运行，适用于各种工业和嵌入式应用。
　　由于其256K x 16位的存储架构，HM514260CLTT-7 提供了相对较大的存储容量，并且适合用于需要并行数据访问的场合。该芯片的高速数据传输能力和低功耗设计使其在许多旧式高性能计算设备中得到了广泛应用。

HM514260CLTT-7 主要用于需要高速存储和访问的应用场合。其典型应用包括老式工业控制系统、嵌入式系统、图形显示设备、通信设备、测试设备以及某些类型的消费电子产品。该芯片也可用于需要高速缓存或临时数据存储的计算机外围设备中。由于其较高的工作频率和较宽的温度适应范围，它也常被用于工业自动化设备和嵌入式处理器系统中，以支持实时数据处理和高速缓存功能。

IS61LV25616-7TLI, CY62148EVLL-70ZE3, IDT71V416SA10Y, A6216261LRSI-7