时间：2025/4/30 15:52:34
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MM3464A15NRE 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频功率晶体管，主要用于电源转换和射频应用。该器件采用了先进的 GaN 工艺技术，具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势，可显著提升系统的功率密度和能效。
这款功率晶体管适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电以及工业自动化等领域，特别适合需要高效能量转换和紧凑设计的应用场景。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：20A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：40nC
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
MM3464A15NRE 拥有卓越的性能特点：
1. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻降低了传导损耗，提升了整体效率。
3. 快速的开关速度减少了开关损耗，并允许更高的工作频率。
4. 小巧的封装形式有助于实现更紧凑的系统设计。
5. 内置过温保护功能提高了器件的可靠性。
该晶体管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 射频功率放大器，特别是在通信基础设施中。
3. 工业设备中的电机驱动控制。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电力管理系统。
5. 太阳能逆变器以及其他能源转换装置。
6. 高效无线充电解决方案。
由于其出色的效率和高频能力，MM3464A15NRE 成为许多高性能应用的理想选择。
MM3464A15NRF, MM3464A15NRM
