类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：8A（最大）
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

TES 2N-4812 MOSFET具有多项优良特性，首先其漏源耐压高达100V，适用于多种中压功率应用。导通电阻较低（典型值为0.35Ω），有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的连续漏极电流可达8A，适用于电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等高电流应用场景。
　　此外，2N-4812采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性与散热能力，能够在高功率运行条件下保持可靠工作。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种控制电路兼容。该MOSFET的开关速度较快，适合用于高频开关应用，如PWM控制和开关电源设计。
　　在可靠性方面，2N-4812具备较强的抗过载能力和热保护性能，能够在恶劣环境下保持稳定运行。其广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业控制、自动化设备和汽车电子等复杂工况。

TES 2N-4812 MOSFET常用于各种功率电子系统中，例如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动电路、电机控制模块、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率开关。此外，它也适用于家用电器中的电机驱动控制，如风扇调速、水泵控制和电磁炉等大功率负载管理。
　　在电机控制方面，2N-4812可作为H桥驱动电路的一部分，用于控制直流电机的正反转和调速。在LED照明系统中，它可作为高效率恒流驱动元件，适用于大功率LED灯具的调光控制。在电池管理系统中，2N-4812可用于充放电路径的开关控制，确保电池组的安全运行。
　　由于其良好的热稳定性和高电流承载能力，该MOSFET也常用于电源管理模块中的负载开关或隔离开关，例如在服务器电源、通信设备电源和嵌入式系统中实现高效的电能管理。

IRF540N, FQP8N10L, 2N6782, STP80NF10