型号：MM3113BWRE
　　极性：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS=15V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

MM3113BWRE具备优异的电学性能和可靠性，其核心优势之一是低导通电阻，在VGS为-10V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在标准逻辑电平-4.5V下也能保持60mΩ的低阻值，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。器件采用P沟道结构，适用于高端开关配置，能够在电源正极侧实现有效的负载断开控制，常用于电池隔离、电源路径管理及反向电流阻断等应用。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了在低电压控制信号下仍能可靠开启，兼容3.3V、2.5V甚至1.8V逻辑系统，提升了其在现代低功耗嵌入式系统中的适用性。同时，其最大栅源电压可达±20V，提供了良好的过压耐受能力，增强了在瞬态干扰环境下的鲁棒性。输入电容仅为520pF，意味着驱动所需的电荷量较小，有利于降低驱动电路的负担并减少开关延迟，从而提升高频开关效率。
　　MM3113BWRE的工作结温高达+150°C，表明其具有出色的热稳定性，可在高温环境下稳定运行。结合SOT-23小尺寸封装，该器件实现了高性能与小型化的平衡，非常适合对空间要求苛刻的便携式设备。此外，该产品符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。生产过程中采用可靠的工艺控制和严格的质量测试，保证批次一致性与长期可靠性，适用于工业级和消费级多种应用场景。

MM3113BWRE广泛应用于各类需要高效电源开关控制的电子系统中。典型用途包括便携式消费电子产品中的电池电源开关，如智能手机和平板电脑中的电池接入控制，通过微控制器信号控制MOSFET的通断来实现系统的软启动和节能关断。此外，它也常用于负载开关电路，用于管理不同功能模块的供电，例如Wi-Fi模块、摄像头模组或传感器单元的独立上电与断电，以优化系统功耗。
　　在DC-DC转换器电路中，MM3113BWRE可作为同步整流或高端开关元件，尤其适用于低电压输入场景，如单节锂电池供电系统（3.0V~4.2V）。其低RDS(on)特性有效减少了传导损耗，提高了电源转换效率。同时，该器件也可用于反向极性保护电路，防止因电池反接导致后级电路损坏，利用P沟道MOSFET的导通方向特性实现自动阻断。
　　其他应用还包括USB电源开关、充电管理电路中的通路控制、热插拔电路以及各种低功耗嵌入式设备中的电源多路复用与隔离。由于其封装小巧且易于焊接，特别适合自动化贴片生产，广泛应用于可穿戴设备、TWS耳机、智能手环、IoT终端等高集成度产品中。

AO3415
　　Si2301DS
　　FDMC86263