容量：256MB
　　类型：DDR3 SDRAM
　　位宽：16位
　　频率：800MHz
　　电压：1.5V（标准）/1.35V（低电压模式）
　　封装：TSOP
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　数据传输速率：1600Mbps
　　刷新周期：64ms
　　行列地址线：A0-A12，BA0-BA2
　　封装引脚数：54pin

W634GU8NB11I是一款面向高性能系统的DDR3 SDRAM芯片，其容量为256MB，采用16位的数据位宽，使得在同等频率下数据吞吐能力更强。该芯片支持800MHz的工作频率，等效数据传输速率达到1600Mbps，能够满足高速数据处理的需求。其供电电压为标准的1.5V，同时也支持1.35V的低电压模式，适应不同的功耗需求，尤其适用于对能耗敏感的应用场景。
　　此外，W634GU8NB11I采用了TSOP（薄型小外形封装）技术，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在高密度PCB布局中使用。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使得该芯片能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业级和车载级应用。该芯片支持标准的DDR3 SDRAM功能，包括自动刷新、自刷新、突发长度控制、延迟锁定环（DLL）等功能，以确保数据的稳定性和同步性。
　　在系统设计中，W634GU8NB11I可与其他DDR3颗粒组合使用，构建更大容量的内存系统。其行列地址线配置（A0-A12行地址和BA0-BA2块地址）使其兼容大多数内存控制器，便于系统集成和调试。

W634GU8NB11I广泛应用于需要高性能内存支持的电子系统中。例如，在工业控制领域，该芯片可用于PLC控制器、工业计算机、数据采集系统等设备中，提供高速缓存支持；在通信设备方面，可应用于路由器、交换机、基站模块等通信基础设施，满足高速数据交换的需求；在嵌入式系统中，W634GU8NB11I可用于智能终端、手持设备、安防监控设备等产品，为操作系统和应用程序提供运行内存。此外，该芯片也可用于消费类电子产品如智能电视、游戏机、平板电脑等，为多媒体应用提供稳定的数据存储与处理能力。

AS4C256M16A2B4-6A / MT48LC16M16A2B4-6A