FDS6694A-NL 时间：2025/7/2 10:20:16 阅读：9

FDS6694A-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用 Fairchild（现为 ON Semiconductor）的先进制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理场景。其封装形式为 SO-8，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻：30mΩ
　　栅极电荷：7.5nC
　　开关速度：超快
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃

特性

FDS6694A-NL 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 4.5V 栅极驱动下仅为 30mΩ，有助于减少传导损耗。
　　2. 快速开关能力，栅极电荷仅为 7.5nC，支持高频应用。
　　3. 高雪崩击穿能量能力，确保在异常条件下具备更强的鲁棒性。
　　4. 小型化 SO-8 封装，便于 PCB 布局和散热设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 150℃)，适应各种严苛环境。

应用

FDS6694A-NL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备的电池管理。
　　3. LED 驱动器中作为高效开关元件。
　　4. 电机驱动和负载切换电路。
　　5. 通信设备中的电源模块。
　　6. 工业自动化控制系统中的信号隔离与功率传输。