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MM1510XNRE 发布时间 时间:2025/6/22 13:32:49 查看 阅读:5

MM1510XNRE是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关应用等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  该型号的MOSFET属于N沟道增强型,支持高频率操作,并且具备良好的热稳定性和可靠性,适用于各种工业及消费电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

MM1510XNRE具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低功耗并提升效率。
  2. 高速切换性能,适应高频应用场景。
  3. 优化的热设计以确保长时间运行时的稳定性。
  4. 内置ESD保护电路以增强抗干扰能力。
  5. 符合RoHS标准,环保友好。
  6. 紧凑型封装,便于PCB布局与安装。

应用

这款功率MOSFET适合于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化控制系统的功率输出级。
  5. 汽车电子中的负载开关和保护电路。

替代型号

MM1510XNRF, IRF540N, FDP18N10

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