电容值：68000 pF（68 nF）
　　容差：±20%
　　额定电压：1000 VDC
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：2220（公制5650）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ
　　损耗因数（DF）：≤2.5%

THCS30E2D683MTF 的主要特性包括出色的电压稳定性，能够在高电压环境下保持电容值的稳定，适合用于高压滤波、能量存储和电源管理等场合。该电容器具有优异的机械强度和耐热性，能够承受高温和机械应力，适用于高温和恶劣环境条件下的工业设备。此外，X7R介质材料提供了良好的温度稳定性，电容值随温度变化较小，确保电路的可靠性。该电容器还具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提高电路的高频响应和稳定性。
　　THCS30E2D683MTF 采用表面贴装技术（SMD），便于在PCB上进行自动化安装，减少电路板空间占用。该电容器符合RoHS标准，不含有害物质，环保且符合现代电子产品的环保要求。其高可靠性设计使其适用于航空航天、汽车电子、工业控制和通信设备等关键应用领域。

THCS30E2D683MTF 主要用于需要高电压稳定性和高可靠性的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）中的高压滤波、电源转换器中的能量存储、马达驱动电路中的去耦和旁路电容、医疗设备中的高压电源模块以及工业自动化控制系统中的滤波电路。此外，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载逆变器、电池管理系统（BMS）和电动汽车充电电路等。在通信设备中，该电容器可用于射频（RF）功率放大器、基站电源和高频电源模块中的滤波与去耦。由于其优异的性能，THCS30E2D683MTF 还可用于航空航天和军事电子设备中的高可靠性电路。

TDK C4532X5R1H683ME060K, KEMET C2220X7R1H683ME3CA, Murata GRM55DR71H683KA-D