FSM30C 是一款由 IXYS 公司生产的高速功率 MOSFET 模块,广泛用于需要高效能功率转换的工业和电力电子应用中。该器件采用先进的平面技术,具备低导通电阻和快速开关特性,能够实现高效的功率控制。FSM30C 属于 N 沟道增强型功率 MOSFET,适合用于高频率开关应用,例如电源转换器、电机控制、不间断电源(UPS)、逆变器以及电焊设备等。该模块采用 TO-247 封装,便于散热和安装。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流:30A
最大漏-源电压:600V
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω
栅极电荷(Qg):85nC
最大功耗:200W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
FSM30C 的主要特性包括其低导通电阻(Rds(on))仅为 0.15Ω,这使得在高电流应用中导通损耗显著降低,提高了整体系统的效率。此外,该器件具备较高的最大漏极电流能力,可达 30A,适用于大功率负载的控制。其最大漏-源电压为 600V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换应用。
FSM30C 还具备良好的热稳定性和快速开关能力,栅极电荷(Qg)为 85nC,使得在高频开关环境下,开关损耗保持在较低水平。其 TO-247 封装形式有助于良好的散热性能,适用于需要长时间高负载运行的工业设备。
该 MOSFET 在设计上采用了先进的平面工艺技术,提升了器件的耐用性和可靠性。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,表明其具有良好的温度适应能力,可在各种环境条件下稳定工作。最大功耗为 200W,确保在高功率应用中器件不会因过热而失效。
FSM30C 主要应用于高效率功率转换系统中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊设备等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适合用于要求高可靠性和高效率的工业控制系统。在电机控制应用中,FSM30C 可用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的功率输出。在电源系统中,它可用于构建高效能的功率因数校正(PFC)电路,提升能源利用率。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,FSM30C 也常被用作主开关元件。
IXFN30N60P, IRFP460LC, STP30NM60ND