类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：14A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：50nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（Pd）：125W

MM090-14I06 是一款基于高性能高压工艺制造的功率MOSFET，其主要特性包括优异的导通性能、低导通电阻以及高可靠性。该器件的导通电阻仅为0.55Ω，使其在高电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。此外，MM090-14I06 具有较高的耐压能力（最大漏源电压为900V），能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电源应用场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为50nC，表明其开关速度较快，开关损耗较低，适用于高频开关环境。同时，其输入电容（Ciss）为1100pF，有助于减少高频开关过程中的驱动损耗，提高电源转换效率。TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用，适用于需要高效散热的电源设计。
　　MM090-14I06 的工作温度范围为-55°C至150°C，展现出出色的热稳定性，适合在极端温度环境下使用。该器件的功耗为125W，支持较高的功率处理能力，确保在长时间运行下依然保持稳定。其高可靠性和耐用性使其成为工业电源、LED驱动、电机控制、AC-DC电源适配器等应用的理想选择。

MM090-14I06 主要用于各种高压电源转换和功率控制应用，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、离线式AC-DC电源适配器、LED驱动电源、工业自动化设备电源、电机驱动控制电路、充电器和电源管理模块。由于其高耐压能力和低导通电阻特性，MM090-14I06 特别适合用于需要高稳定性和高效率的电源系统设计。

MM090-14I06 可以替代的型号包括：FQA16N90C、STF15N90M、2SK2545、SiHP09N90C、IRF830 和 IXTP14N90C。