产品型号：MLZ2012DR10D
　　制造商：TDK
　　系列：MLZ
　　电感值：0.1μH (100nH)
　　容差：±0.3nH
　　额定电流：350mA (典型值)
　　直流电阻(DCR)：0.22Ω (最大值)
　　自谐振频率(SRF)：6.0GHz (最小值)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：2012 (2.0mm x 1.25mm)
　　高度：约1.0mm
　　端电极结构：Ni/Sn镀层
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　应用领域：射频(RF)电路、移动通信设备

MLZ2012DR10D作为TDK MLZ系列中的高性能多层片式陶瓷电感器，具备出色的高频特性和稳定的电感表现。其核心优势在于采用了先进的低温共烧陶瓷（LTCC）工艺与精细的内部线圈结构设计，使得在极小的2012封装尺寸下仍能实现高达6GHz以上的自谐振频率（SRF），从而确保其在GHz级别的射频应用中保持良好的电感行为而不会过早进入容性区域。
　　该器件具有非常低的直流电阻（DCR），典型值仅为0.22Ω，有助于减少功率损耗并提升电路效率，特别适用于电池供电的便携式设备。同时，其额定电流可达350mA，能够在维持温升可控的前提下承载相对较高的直流偏置电流，满足射频放大器偏置电路或LC滤波网络的需求。
　　MLZ2012DR10D的电感值精度极高，容差控制在±0.3nH以内，这种高精度对于需要严格匹配的射频阻抗匹配网络至关重要，可显著提高信号传输效率并降低反射损耗。此外，该电感器在整个工作温度范围（-40°C至+85°C）内表现出优异的温度稳定性，电感值随温度变化极小，保证了系统在不同环境条件下的可靠运行。
　　该产品还具备良好的抗机械应力能力和耐热冲击性能，适用于回流焊工艺，并能在多次热循环后保持电气性能稳定。其端电极为镍/锡（Ni/Sn）镀层，兼容无铅焊接工艺，符合RoHS指令要求，适合绿色电子产品制造。整体而言，MLZ2012DR10D凭借其小型化、高Q值、高SRF、低损耗和高可靠性，成为现代高频通信设备中不可或缺的关键无源元件之一。

MLZ2012DR10D主要应用于高频射频（RF）电路中，尤其是在移动通信设备和无线连接模块中发挥关键作用。其最常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网（IoT）终端以及无线局域网（Wi-Fi）、蓝牙、Zigbee等短距离通信模块中的射频前端电路。
　　在这些系统中，该电感常用于构建LC谐振电路、π型或T型滤波器、阻抗匹配网络以及偏置馈电电感（RF choke）。例如，在功率放大器（PA）输出级中，MLZ2012DR10D可用于实现天线端口的阻抗匹配，以最大化射频功率传输效率；在接收链路中，则可用于滤除带外干扰信号，提升接收灵敏度。
　　此外，由于其高达6GHz的自谐振频率，该器件特别适合用于2.4GHz、5GHz甚至更高频段的Wi-Fi 6/6E和蓝牙5.x系统中，能够有效避免因SRF接近工作频率而导致的性能下降问题。它也可用于射频识别（RFID）、GPS定位模块和毫米波雷达传感器中的高频滤波与信号调理电路。
　　得益于其小型化封装和高可靠性，MLZ2012DR10D非常适合高密度PCB布局，尤其适用于主板空间受限的超薄消费类电子产品。同时，其稳定的电气性能和良好的批次一致性，使其成为自动化SMT生产线的理想选择，广泛应用于大规模电子制造流程中。

MLZ2012DR10DT