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EVM2NSX80B24 发布时间 时间:2025/5/23 12:33:51 查看 阅读:18

EVM2NSX80B24是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换评估模块,专为高频率、高效率开关应用设计。该模块集成了高性能的GaN晶体管和驱动电路,简化了高频DC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路的设计流程。
  此评估模块适用于电源设计工程师快速验证GaN器件在实际应用中的性能表现,同时支持多种拓扑结构,包括但不限于同步整流降压转换器(Buck Converter)、升压转换器(Boost Converter)以及反激式拓扑(Flyback)。通过使用EVM2NSX80B24,用户可以轻松优化电源系统效率并减少整体设计周期。

参数

型号:EVM2NSX80B24
  输入电压范围:9V - 48V
  输出电压范围:3.3V - 12V
  最大输出电流:5A
  开关频率:100kHz - 2MHz
  GaN晶体管导通电阻(Rds(on)):80mΩ
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:表面贴装(SMD)

特性

EVM2NSX80B24采用先进的氮化镓技术,具备极低的寄生电感和优异的热性能,能够显著提高功率密度和系统效率。
  1. 高效开关性能:由于GaN材料的物理优势,该模块能够在高频条件下保持低损耗,从而实现更高的功率转换效率。
  2. 快速开关速度:相比传统硅基MOSFET,GaN器件拥有更快的开关速度,降低了开关损耗并支持更高频率的应用。
  3. 简化的外围设计:集成驱动电路减少了外部元件数量,提升了系统的可靠性和紧凑性。
  4. 广泛的适用性:支持多种拓扑结构,适合从工业电源到消费电子产品的各种应用场景。
  5. 易于使用的评估平台:提供完整的设计文档和技术支持,帮助用户快速上手并完成原型开发。

应用

EVM2NSX80B24主要应用于需要高效功率转换的领域:
  1. 通信电源:基站电源、光网络终端(ONT/ONU)等。
  2. 工业设备:伺服驱动器、可编程逻辑控制器(PLC)、电机控制单元等。
  3. 消费电子产品:笔记本电脑适配器、USB-PD快充头等。
  4. 可再生能源:光伏逆变器、储能系统中的DC-DC转换环节。
  5. 汽车电子:车载充电器、DC-DC变换器等。该模块凭借其高效的功率处理能力和灵活的适应性,成为现代电力电子应用的理想选择。

替代型号

EVM2NSX65B24
  EVM2NSX100B24

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EVM2NSX80B24参数

  • 安装类型表面贴装
  • 容差±25%
  • 尺寸2.2 x 2.81 x 0.81mm
  • 接端样式焊垫
  • 最低工作温度-40°C
  • 最大电阻值20kΩ
  • 最高工作温度+100°C
  • 深度2.81mm
  • 温度系数±250ppm/°C
  • 转数1
  • 长度2.2mm
  • 额定功率0.15W
  • 高度0.81mm