NX25B40VNIG 时间：2025/8/21 2:52:13 阅读：5

NX25B40VNIG 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的40V N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效率电源转换、负载开关、马达控制以及电池管理系统等应用场景。NX25B40VNIG采用标准的TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适用于中等功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：40V
　　最大漏极电流(Id)：100A（在TC=25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1V~3V
　　最大功率耗散(PD)：100W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

NX25B40VNIG 具备出色的导通性能和热稳定性，其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用Trench沟槽技术，提升了单位面积的电流密度，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　其TO-252封装具有良好的散热能力，适用于中高功率应用环境。
　　此外，NX25B40VNIG具备较高的短路耐受能力，适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源管理系统和工业控制设备。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的VGS电压，兼容多种驱动电路设计。
　　其快速开关特性有助于降低开关损耗，提升整体系统性能。
　　同时，NX25B40VNIG具有良好的抗雪崩能力和可靠性，适用于汽车电子、工业电源、太阳能逆变器等多种应用场合。

应用

NX25B40VNIG 主要应用于以下领域：
　　电源管理系统：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和降低损耗。
　　电机控制：适用于直流电机、步进电机的驱动控制电路，提供高效可靠的开关能力。
　　电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、保护电路等。
　　工业自动化：作为高侧或低侧开关，广泛用于PLC、工业电源和自动化控制系统。
　　汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池保护模块等。
　　新能源领域：适用于太阳能逆变器、储能系统、电动工具等需要高效率功率开关的场景。