时间：2025/12/5 10:06:27
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MLF2012DR56MT是一款由Vishay Dale生产的表面贴装功率电感器，属于MLF（Micro LF）系列。该系列电感器专为高电流、低直流电阻和小尺寸应用而设计，广泛应用于便携式电子产品、电源管理模块以及DC-DC转换电路中。MLF2012DR56MT采用成熟的金属合金粉末磁芯技术和单层绕线结构，具有优异的抗饱和性能和温度稳定性。其紧凑的2012封装尺寸（约2.0mm x 1.2mm x 1.0mm）使其非常适合空间受限的高密度PCB布局。该器件具备良好的机械强度和焊接可靠性，并通过AEC-Q200认证，适用于对可靠性和耐久性要求较高的工业与汽车电子环境。
这款电感器的标称电感值为0.56μH，在额定电流下表现出较低的功率损耗，有助于提升电源系统的整体效率。同时，它具有出色的频率响应特性，能够在高频开关电源中稳定工作，有效滤除噪声并平滑输出电流。由于采用了屏蔽结构设计，MLF2012DR56MT具有极低的电磁干扰（EMI），减少了对外部元件的干扰，提升了系统EMC性能。此外，该器件支持回流焊工艺，符合RoHS指令及无卤素要求，适合现代绿色电子制造流程。
产品系列：MLF
封装尺寸：2012（2.0mm x 1.2mm）
电感值：0.56 μH
允许偏差：±20%
直流电阻（DCR）典型值：37 mΩ
额定电流（Irms）：850 mA
饱和电流（Isat）：1.4 A
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
最大高度：1.0 mm
核心类型：金属合金粉末
屏蔽类型：磁屏蔽（低EMI）
安装方式：表面贴装（SMD）
焊接方式：回流焊兼容
符合标准：AEC-Q200，RoHS，无卤素
MLF2012DR56MT采用先进的金属合金粉末磁芯材料，这种材料具有高磁导率和优异的直流偏置特性，能够在大电流条件下保持电感值的稳定性，避免因磁芯饱和导致的性能下降。该磁芯还具备较低的涡流损耗和迟滞损耗，从而在高频操作中实现更高的能效表现。其内部绕组采用扁平铜线或蚀刻线圈技术，有效降低了直流电阻（DCR），减少I2R损耗，提升整体热效率。在极端温度环境下，该电感器仍能维持可靠的电气性能，从-55°C的低温启动到+155°C的高温运行均不会发生结构性损坏或显著参数漂移，适合用于严苛工况下的电源系统。
该器件的全屏蔽结构是其关键优势之一。磁屏蔽设计不仅抑制了外部电磁场对其的影响，也大幅减少了自身辐射的电磁干扰（EMI），这对于高灵敏度模拟电路或密集布线的数字系统尤为重要。屏蔽结构还能改善磁场分布均匀性，提高能量传输效率，并降低邻近效应带来的额外损耗。MLF2012DR56MT在瞬态负载变化时表现出快速响应能力，能够有效抑制电压波动，增强电源环路稳定性。此外，其坚固的封装结构可抵抗机械振动和热应力冲击，确保长期使用的可靠性。产品经过严格的环境测试，包括高温高湿存储、温度循环和机械冲击试验，满足汽车级应用的质量标准。
MLF2012DR56MT主要用于各类小型化、高效率的直流-直流（DC-DC）转换器中，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）及降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构中作为储能和滤波元件。它常见于移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源模块，用于为处理器、内存和其他核心芯片提供稳定的电压供应。在电池管理系统（BMS）和充电管理电路中，该电感器帮助实现高效的能量转换，延长续航时间。此外，它也被广泛应用于便携式医疗设备、物联网终端节点、无线传感器网络以及小型消费类电子产品中。
在汽车电子领域，由于通过AEC-Q200认证，MLF2012DR56MT可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电单元等非引擎舱内的电子控制单元（ECU）。其低EMI特性有助于满足车载电磁兼容性法规要求。在工业自动化设备中，该电感器适用于PLC模块、智能仪表和小型驱动器的电源部分。对于需要高功率密度和良好热管理的小型电源适配器和LED驱动电源，MLF2012DR56MT也是一个理想选择。总之，任何需要小体积、高电流能力和良好热稳定性的电感应用场合都可考虑使用此型号。
SRP2012DR56M
